ناموجود
تضمین اصالت کالا
ارسال سریع
بازگشت وجه
مشاوره تلفنی
طراحی شده در فرم فاکتور M.2 (2280)، مجهز به کنترل کننده Samsung In-House Controller، دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی گراد
نوع فلش V-NAND 3-bit MLC، میانگین عمر (MTBF) 1.500.000 ساعت، با قابلیت رمز گزاری ۲۵۶ بیتی AES
پشتیبانی از S.M.A.R.T جهت آگاهی از سلامت حافظه و TRIM جهت حذف داده های اضافی و بی استفاده
مقاومت بالا در برابر لرزش و مقاوم در برابر شوک تا ۱۵۰۰G/0.5ms جهت حفاظت از اطلاعات ذخیره شده
سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی برابر با ۳۱۰۰ مگابایت بر ثانیه و ۲۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
مجهز به تکنولوژی TurboWrite جهت افزایش سرعت خواندن و نوشتن متوالی به صورت هوشمند
سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی معادل ۴۰۰۰۰۰IOPS و ۴۷۰۰۰۰IOPS
با ظرفیت ۵۰۰ گیگابایت و مجهز به رابط PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
مشخصات حافظه SSD سامسونگ Samsung 980 500GB M.2
| نوع محصول | حافظه اس اس دی M.2 |
|---|---|
| ابعاد | 2.38×22.15×80.15 میلیمتر |
| وزن | 8 گرم |
| فرم فاکتور | M.2 |
| نوع رابط | PCIe 3.0 x4 |
| ظرفیت | 500 گیگابایت - 500GB |
| هیت سینک | ندارد |
| پشتیبانی از NVMe | دارد |
| نوع فلش | V-NAND MLC |
| مقاوم در برابر شوک | دارد |
| سرعت خواندن اطلاعات | ترتیبی : 3100 مگابایت بر ثانیه |
| مقاومت در برابر شوک و لرزش | دارد |
| میانگین زمان بین خطاها (MTBF) | 1.500.000 ساعت |
| سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات | 2600 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی | 2600 مگابایت بر ثانیه |
| میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G/0.5ms |
| سرعت خواندن تصادفی | 400,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات | 470,000IOPS |
| سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی | 470,000IOPS |
| حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک | 1500G/0.5ms |
هنوز هیچ کامنتی ثبت نشده است
اولین نفری باشید که نظر خود را بیان میکند!